Modèle d’Ebers‑Moll

Modèle d’équivalent en grand signal d’un transistor bipolaire (BJT) qui représente les jonctions émetteur–base et collecteur–base par des courants de diode couplés et des sources de courant commandées selon des lois exponentielles de diode et des facteurs de transport (α_F, α_R) ; le modèle rend compte du comportement grand‑signal en CC et à basse fréquence (régimes active directe/inverse et satur